PW2319芯片P沟道增强型MOSFET

一般说明

PW2319 采用先进的沟道技术，提供优秀的 RDS （ ON ），低栅电荷栅极电压低至 4.5V ，适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

VDS=-40V ， ID=-5A

RDS （开） <70m Ω @VGS=-10V

提供3 针 SOT23-3 封装

应用

电池保护

负荷开关

不间断电源

绝对最大额定值（TA=25 ℃，除非另有说明）

电气特性

品牌代理商：深圳市夸克微科技
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