PW2319芯片P沟道增强型MOSFET

一般说明

PW2319 采用先进的沟道技术,提供优秀的 RDS ON ),低栅电荷栅极电压低至 4.5V ,适用于电池保护或在其他交换应用中。

 

特征

VDS=-40V ID=-5A

RDS (开) <70m Ω @VGS=-10V

提供3 SOT23-3 封装


 

应用

电池保护

负荷开关

不间断电源


绝对最大额定值(TA=25 ℃,除非另有说明)



电气特性


品牌代理商:深圳市夸克微科技
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