PW2337芯片P沟道增强型MOSFET
- 2020-12-01 13:10:00
- admin 原创
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一般说明
PW2337 采用先进的沟道技术,提供优秀的 RDS ( ON ),低栅电荷栅极电压低至 4.5V ,适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
VDS=-100V , ID=-0.9A
RDS (开) <650m Ω @VGS=-10V
提供3 针 SOT23-3 封装
应用
电池保护
负荷开关
不间断电源
绝对最大额定值(TA=25 ℃,除非另有说明)
电气特性
品牌代理商:深圳市夸克微科技
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