PW2324芯片N沟道增强型MOSFET

一般说明

PW2324 采用先进的沟道技术，提供优秀的 RDS （ ON ）、低栅极充电和栅极电压低至 4.5V 的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

特征

VDS=100V ， ID=3.7A

RDS （开） <240m Ω @VGS=10V

提供3 针 SOT23-3 封装

应用

电池保护

负荷开关

不间断电源

绝对最大额定值（TA=25 ℃，除非另有说明）

电气特性（TA=25°C，除非另有说明。）

品牌代理商：深圳市夸克微科技

郑生： 13528458039

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