PW2309 采用先进的沟道技术，提供优秀的 RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至
4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。
特征
⚫ VDS=-60V， ID=-3A
⚫ RDS（开） <180mΩ @VGS=-10V
⚫ 提供 3 针 SOT23-3 封装
应用 芯片
⚫ 电池保护
⚫ 负荷开关
⚫ 不间断电源
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性
PW2309中文规格书，PMOS管60V3A
PW2309 采用先进的沟道技术，提供优秀的 RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至
