PW2301A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW2301A是一颗 P沟道的 MOS管

A1SHB是 PW2301A芯片，低导通内阻：  RDS(ON) < 110mΩ@ VGS=4.5V

PW2301A的  VDS = -20V, ID = -3A

PW2301A  采用 SPT23-3L的环保材质封装。

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