PW3230 芯片介绍
型号：
PW3230
单节锂电池保护芯片
摘要：
PW3230 是一款高集成度的单节锂离子/聚合物电池保护解决方案，集成了先进的功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。采用超小型SOT23-5封装，仅需一个外部元件，非常适合空间有限的电池组应用。该芯片具备全面的保护功能，包括过充、过放、过流和负载短路保护等，确保电池安全高效使用。
PW3230 关键特性
1、
高集成度
：集成先进的功率
MOSFET，等效RDS(ON)为45mΩ
2、
超小型封装
：
SOT23-5封装，节省PCB空间
3、
全面保护功能
：
（
1
）
过充保护
（
2
）
过放保护
（
3
）
过流保护（两步检测）
（
4
）
负载短路保护
（
5
）
过温保护
（
6
）
充电器检测功能
（
7
）
OV电池充电功能
4、
高精度电压检测
：确保安全高效的充电
5、
低待机电流
：典型值
2.8μA（工作模式），1.5μA（掉电模式）
6、
RoHS合规
：无铅产品
PW3230 应用场景
1、
单节锂离子电池组
2、
单节锂聚合物电池组
3、
数字移动电话
4、
其他需要长电池寿命的锂离子
/聚合物电池供电设备
PW3230 典型应用电路
1、
电路设计说明：
（
1
）
充电器连接
：充电器正极连接到VM引脚，负极连接到GND引脚
（
2
）
电池连接
：电池正极连接到VDD引脚，负极连接到GND引脚
（
3
）
负载连接
：负载连接在VM和GND之间
2、
PW3230 引脚描述
|
引脚号
|
引脚名称
|
功能描述
|
|
1
|
VT
|
测试引脚
|
|
2
|
GND
|
接地端，连接电池负极
|
|
3
|
VDD
|
电源供应端，连接电池正极
|
|
4,5
|
VM
|
充电器负极连接端，内部
FET开关将此端连接到GND
|
PW3230 绝对最大额定值
|
参数
|
符号
|
值
|
单位
|
|
VDD输入引脚电压
|
VINVDD
|
-0.3至6
|
V
|
|
VM输入引脚电压
|
VVM
|
-6至10
|
V
|
|
工作环境温度
|
Topr
|
-40至85
|
℃
|
|
最大结温
|
Tj
|
125
|
℃
|
|
存储温度
|
Tstg
|
-55至150
|
℃
|
|
引脚温度
|
TL
|
300
|
℃
|
|
功耗
|
PD
|
400
|
mW
|
PW3230 电气特性
(除非特别注明，典型值的测试条件为：TA=25℃)
|
参数
|
符号
|
测试条件
|
最小值
|
典型值
|
最大值
|
单位
|
|
过充检测电压
|
VCU
|
-
|
4.25
|
4.30
|
4.35
|
V
|
|
过充释放电压
|
VCL
|
-
|
4.05
|
4.10
|
4.15
|
V
|
|
过放检测电压
|
VDL
|
-
|
2.30
|
2.40
|
2.50
|
V
|
|
过放释放电压
|
VDR
|
-
|
2.90
|
3.00
|
3.10
|
V
|
|
充电器检测电压
|
VCHA
|
-
|
-0.12
|
-
|
-
|
V
|
|
过放电流
1检测
|
IOV1
|
Vdd=3.6V
|
3.2
|
4.0
|
-
|
A
|
|
负载短路检测
|
ISHORT
|
Vdd=3.6V
|
12.5
|
-
|
-
|
A
|
|
正常工作电流
|
IOPE
|
Vdd=3.6V, VM=0V
|
-
|
2.80
|
-
|
μA
|
|
掉电模式电流
|
IPDN
|
Vdd=2V, VM浮动
|
-
|
1.50
|
2.2
|
μA
|
|
等效
FET导通电阻
|
RDS
|
Vdd=3.6V, IvM=1A
|
-
|
45
|
-
|
mΩ
|
|
过温保护阈值
|
TSHD
|
-
|
+125
|
+140
|
-
|
℃
|
|
过温恢复温度
|
TSHD-
|
-
|
-100
|
-115
|
-
|
℃
|
|
过充电压检测延迟时间
|
TCU
|
VDD=3.6V∼4.4V
|
-
|
135
|
-
|
ms
|
|
过放电压检测延迟时间
|
TDLV
|
VDD=3.6V∼2.0V
|
-
|
28
|
35
|
ms
|
|
过放电流
1检测延迟时间
|
TIOV1
|
VDD=3.6V
|
-
|
8.0
|
-
|
ms
|
|
负载短路检测延迟时间
|
TSHORT
|
VDD=3.6V
|
-
|
100
|
300
|
μs
|
