PW3400A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的 MOS管装置。 PW3400A是一颗 N沟道的低内阻场效应 MOS管。

PW3400A具有比 PW2302A更高的 ID电流值，和更高的 VDS耐压

PW3400A基本参数：VDS = 30V， ID =5.8A， RDS(ON)< 28mΩ @ VGS=10V

PW3400A 采用 SOT23-3L环保材质的封装形式。