
代理PW8205A8TS极高单元密度,高性能沟槽,全功能可靠性高
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一般说明
PW8205A8TS是具有极高单元密度的最高性能沟槽N沟道MOSFET,
为大多数小功率开关和负载提供出色的RDSON和栅极充电
开关应用。满足RoHS和产品要求,具有全功能可靠性
经核准的。
特征
VDS=20V,ID=6A
RDS(开启)<27 mΩ @ VGS=4.5伏
RDS(开启)<37 mΩ @ VGS=2.5伏
提供8引脚TSSOP8封装




PW8205A8TS是具有极高单元密度的最高性能沟槽N沟道MOSFET,
为大多数小功率开关和负载提供出色的RDSON和栅极充电
开关应用。满足RoHS和产品要求,具有全功能可靠性
经核准的。
特征
VDS=20V,ID=6A
RDS(开启)<27 mΩ @ VGS=4.5伏
RDS(开启)<37 mΩ @ VGS=2.5伏
提供8引脚TSSOP8封装
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804
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