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MEM2404结合了先进的沟槽 具有低电阻封装的MOSFET技术 提供极低的RDS（ON）
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MEM2311SG 系列 双 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
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MEM2310XG 系列 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
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MEM2309SG 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
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MEM2306SG 系列 双 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
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MEM2303XG 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
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MEM2302M3G 系列 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
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MEM2301M3G 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
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MEM12N65 N沟道功率MOSFET
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MEM12N60是一种高电压、高电压的传感器 电流功率MOSFET，设计具有更好的 具有开关时间快、门极低等特点
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