60V降压转5V,3.3V,12V电源芯片选型

输入 60V 降压 5V/3.3V/12V 方案测试报告

PW2153 / PW2815 / PW8600   实测对比

测试项:转换效率 · 热性能 · 静态功耗 · 典型应用 测试条件: Vin=60V, Vout=5V/3.3V/12V

一、测试目的与内容概览

针对六款 DC-DC LDO 电源芯片,在工业及汽车电子典型工况下的性能对比与验证

01 测试对象:覆盖多品类电源管理芯片

l 异步降压 DC-DC PW2153 (8V-150V) PW2815 (4.5V-80V) PW2312B (5.5V-60V)

l LDO 线性稳压器: PW8600 (3V-80V) ,提供低噪声稳压输出

02 核心测试项目:多维度性能验证

① 芯片核心规格与电气参数的一致性对比分析

② 典型应用电路拓扑解析与实际布线适配性评估

③ 转换效率 ( η ) 实测:满载 / 轻载工况下的能效表现

④ 热性能分析 (Tj) :高温环境下的结温与散热特性测试

⑤ 空载静态电流 (IQ) 测试:低功耗待机状态下的电流消耗

03 测试环境条件:模拟真实工业 / 车载场景

输入条件: Vin = 48V (模拟工业总线 / 汽车电子供电环境)

输出条件: Vout = 5.0V / 3.3V (满足主流 MCU/ 传感器供电需求)


四、 应用电路 (LDO)

LDO 核心原理与特性

线性稳压器( LDO )是电源设计中常用的稳压器件,其核心优势在于电路结构极简,仅需少量输入输出电容即可工作,且输出噪声极低。

需重点关注功耗公式: P = (Vin - Vout) × Iout 。在高压差场景下,能量主要以热量形式损耗,因此选型时需结合实际压差与负载电流评估效率。

PW8600 :高压输入型 LDO

专为高压环境设计,支持宽电压输入范围。其应用电路极其简单,仅需配置输入输出电容即可稳定运行,极大简化了硬件设计流程。但在高输入输出压差工况下,功耗会随压差增大而显著增加,实际应用中需充分考虑散热设计。

PW75XX :低功耗型 LDO

具备极低的静态工作电流,是电池供电设备待机模式的理想选择,能有效延长设备续航时间。虽然自身功耗极低,但依然遵循 LDO 的功耗规律,在高压差应用场景下仍会产生一定的功率损耗,需结合实际需求进行效率评估。



六、 PW2153 输出 5V/3A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2153

拓扑:异步 Buck

Vin 59.3V (锂电中值)

Vout 4.98V

Iout 3.0A

电感 L 47 μ H

Cin 47 μ F × 1

Cout 680 μ F × 1

fsw 1MHz



七、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2153(SOP8)

Vin 60.0V

Vout 5.0V

Iout 3.0A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



八、 PW2153 输出 5V/4A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2153

拓扑:异步 Buck

Vin 59.8V (锂电中值)

Vout 4.97V

Iout 4.0A

电感 L 47 μ H

Cin 47 μ F × 1

Cout 680 μ F × 1

fsw 1MHz


九、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2153(SOP8)

Vin 60V

Vout 5.0V

Iout 4.0A

环境温度: 25

运行时间: 2 min

十、 PW2153 输出 5V/4.5A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2153

拓扑:异步 Buck

Vin 59.8V (锂电中值)

Vout 4.62V

Iout 4.5A

电感 L 47 μ H

Cin 47 μ F × 1

Cout 680 μ F × 1

fsw 1MHz





十一、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2153(SOP8)

Vin 60.0V

Vout 5.0V

Iout 4.5A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



十二、 PW2153 输出 12V/3A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2153

拓扑:异步 Buck

Vin 59.8V (锂电中值)

Vout 12.04V

Iout 3.0A

电感 L 47 μ H

Cin 47 μ F × 1

Cout 680 μ F × 1

fsw 1MHz



十三、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2153(SOP8)

Vin 60.0V

Vout 12.0V

Iout 3.0A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



十四、 PW2153 输出 12V/4A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2153

拓扑:异步 Buck

Vin 59.7V (锂电中值)

Vout 12.02V

Iout 4.0A

电感 L 47 μ H

Cin 47 μ F × 1

Cout 680 μ F × 1

fsw 1MHz



十五、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2153(SOP8)

Vin 60.0V

Vout 12.0V

Iout 4.0A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



十六、 PW2153 输出 12V/5A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2153

拓扑:异步 Buck

Vin 59.6V (锂电中值)

Vout 11.99V

Iout 5.0A

电感 L 47 μ H

Cin 47 μ F × 1

Cout 680 μ F × 1

fsw 1MHz



十七、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2153(SOP8)

Vin 60.0V

Vout 12.0V

Iout 5.0A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



十九、 PW2815 输出 3.3V/0.5A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 59.8V (锂电中值)

Vout 3.353V

Iout 0.5A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



二十、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60V

Vout 3.3V

Iout 0.5A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



二十一、 PW2815 输出 3.3V/1.0A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 59.8V (锂电中值)

Vout 3.36V

Iout 1.0A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



二十二、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60.0V

Vout 3.3V

Iout 1.0A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



二十三、 PW2815 输出 3.3V/1.2A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 59.9V (锂电中值)

Vout 3.34V

Iout 1.2A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



二十四、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60.0V

Vout 3.3V

Iout 1.2A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



二十五、 PW2815 输出 5V/0.5A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 59.9V (锂电中值)

Vout 5.08V

Iout 0.5A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



二十六、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60.0V

Vout 5.0V

Iout 0.5A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



二十七、 PW2815 输出 5V/1.0A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 59.9V (锂电中值)

Vout 5.08V

Iout 1.0A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



二十八、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60.0V

Vout 5.0V

Iout 1.0A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



二十九、 PW2815 输出 5V/1.2A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 59.9V (锂电中值)

Vout 5.07V

Iout 1.2A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



三十、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60.0V

Vout 5.0V

Iout 1.2A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



二十九、 PW2815 输出 12V/0.5A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 60.0V (锂电中值)

Vout 12.21V

Iout 0.5A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



三十、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60.0V

Vout 12.0V

Iout 0.5A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



二十九、 PW2815 输出 12V/1.0A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 60.0V (锂电中值)

Vout 12.21V

Iout 1.0A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



三十、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60.0V

Vout 12.0V

Iout 1.0A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



二十九、 PW2815 输出 12V/1.2A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW2815

拓扑:异步 Buck

Vin 59.9V (锂电中值)

Vout 12.22V

Iout 1.2A

电感 L 22 μ H

Cin 100 μ F × 1

Cout 22 μ F × 2

fsw 1MHz



三十、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 2815(SOP8-EP)

Vin 60.0V

Vout 12.0V

Iout 1.2A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



四十五、 PW8600 输出 3.3V/0.005A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW8600

拓扑   LDO( 线性稳压器 )

Vin 59.9V (锂电中值)

Vout 3.26V

Iout 0.005A

电感 L

Cin 1 μ F × 1

Cout 10 μ F × 1

fsw 1MHz



四十六、 PW8600 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 8600(SOT23-3L/SOT9-3L)

Vin 76.0V

Vout 3.3V

Iout 0.005A

环境温度: 25

运行时间: 2 min



四十七、 PW8600 输出 5V/0.005A 测试 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW8600

拓扑   LDO( 线性稳压器 )

Vin 59.8V (锂电中值)

Vout 4.98V

Iout 0.005A

电感 L

Cin 1 μ F × 1

Cout 10 μ F × 1

fsw 1MHz



四十八、 PW8600 IC 温度热成像 @ Vin = 60V

测试条件

芯片: PW 8600(SOT23-3L/SOT9-3L)

Vin 60.0V

Vout 5.0V

Iout 0.005A

环境温度: 25

运行时间: 2 min