输入 24V 降压 5V/3.3V 方案测试报告
PW2153 /PW2205 /PW2330 /PW2335 /PW2312B /PW2312 /PW2458 / PW8600 / PW75XX 实测对比
测试项：转换效率 ·热性能·静态功耗·典型应用 测试条件： Vin=24V, Vout=5V/3.3V
一、测试目的与内容概览
聚焦多品类电源管理芯片，模拟工业与车载真实工况，开展全方位性能验证与对比分析
01 测试对象：覆盖多品类电源管理芯片
l 异步降压 DC-DC ： PW2153 (8V-150V) 、 PW2815 (4.5V-80V) 、 PW2312B (5.5V-60V)
l 同步降压 DC-DC ： PW2458 (3.8V-36V) 、 PW2205 (4.5V-30V) 、 PW2330 (4.5V-30V) 、 PW2335 (4.5V-30V) 、 PW2312 (4V-30V)
l LDO 线性稳压器： PW8600 (3V-80V) 、 PW75XX 系列 (3V-36V) ，适配低噪声稳压需求
02 核心测试项目：多维度性能验证
① 芯片核心规格与电气参数的一致性对比分析，确保参数标称值匹配度
② 典型应用电路拓扑解析，评估实际 PCB 布线的适配性与抗干扰能力
③ 转换效率 ( η ) 实测：对比满载、轻载及动态负载下的能效表现差异
④ 热性能分析 (Tj) ：高温环境下的结温变化、散热特性及热稳定性测试
⑤ 空载静态电流 (IQ) 测试：低功耗待机状态下的电流消耗，验证节能特性
03 测试环境条件：模拟真实工业 / 车载场景
输入条件： Vin = 24V （精准模拟工业总线供电、汽车电子电源系统的典型电压）
输出条件： Vout = 5.0V / 3.3V （满足主流 MCU 、传感器、控制模块的供电需求）
三、应用电路 (DC-DC Part 2)
PW2312B 小型化异步降压
l 采用 SOT23-6L 超微型封装，极大节省 PCB 空间，适合穿戴设备、小型模组等体积受限场景。
l 内置功率 MOSFET ，外围电路极简，有效降低 BOM 成本与布线复杂度。
PW2458 同步降压转换器
l 集成低导通电阻 MOSFET ，转换效率优异，降低系统发热，提升续航表现。
l 宽电压输入范围与丰富的保护功能，性能均衡，适配各类工业与消费电子场景。
应用场景总结： PW2312B 凭借极致的小型化优势，成为便携式设备、可穿戴电子产品的首选；而 PW2458 则以高效率、高稳定性著称，广泛应用于工业控制、智能家居、车载电子等对电源性能要求较高的领域。两款芯片分别从“空间紧凑”与“高效能”两个维度满足不同场景的电源设计需求。
四、应用电路 (LDO)
LDO 核心原理与特性
线性稳压器（ LDO ）是电源设计中常用的稳压器件，其核心优势在于电路结构极简，仅需少量输入输出电容即可工作，且输出噪声极低。
需重点关注功耗公式： P 耗 = (Vin - Vout) × Iout 。在高压差场景下，能量主要以热量形式损耗，因此选型时需结合实际压差与负载电流评估效率。
PW8600 ：高压输入型 LDO
专为高压环境设计，支持宽电压输入范围。其应用电路极其简单，仅需配置输入输出电容即可稳定运行，极大简化了硬件设计流程。但在高输入输出压差工况下，功耗会随压差增大而显著增加，实际应用中需充分考虑散热设计。
PW75XX ：低功耗型 LDO
具备极低的静态工作电流，是电池供电设备待机模式的理想选择，能有效延长设备续航时间。虽然自身功耗极低，但依然遵循 LDO 的功耗规律，在高压差应用场景下仍会产生一定的功率损耗，需结合实际需求进行效率评估。
六、 PW2153 输出 5V/3A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2153
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.92V （锂电中值）
Vout ： 5.01V
Iout ： 3.0A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 680 μ F × 1
fsw ： 1MHz
七、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2153(SOP8)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 3.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
八、 PW2153 输出 5V/4A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2153
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.88V （锂电中值）
Vout ： 5.01V
Iout ： 4.0A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 680 μ F × 1
fsw ： 1MHz
九、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2153(SOP8)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 4.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
十、 PW2153 输出 5V/4.5A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2153
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.89V （锂电中值）
Vout ： 5.02V
Iout ： 4.5A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 680 μ F × 1
fsw ： 1MHz
十一、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2153(SOP8)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 4.5A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
十二、 PW2153 输出 12V/3A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2153
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.82V （锂电中值）
Vout ： 12.03V
Iout ： 3.0A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 680 μ F × 1
fsw ： 1MHz
十三、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2153(SOP8)
Vin ： 24.0V
Vout ： 12.0V
Iout ： 3.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
十四、 PW2153 输出 12V/4A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2153
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.78V （锂电中值）
Vout ： 12.02V
Iout ： 4.0A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 680 μ F × 1
fsw ： 1MHz
十五、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2153(SOP8)
Vin ： 24.0V
Vout ： 12.0V
Iout ： 4.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
十六、 PW2153 输出 12V/5A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2153
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.69V （锂电中值）
Vout ： 12.03V
Iout ： 5.0A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 680 μ F × 1
fsw ： 1MHz
十七、 PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2153(SOP8)
Vin ： 24.0V
Vout ： 12.0V
Iout ： 5.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
十九、 PW2205 输出 3.3V/2.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2205
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.99V （锂电中值）
Vout ： 3.31V
Iout ： 2.0A
电感 L ： 6.8 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
二十、 PW2205 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2205(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 2.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
二十一、 PW2205 输出 3.3V/3.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2205
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.97V （锂电中值）
Vout ： 3.31V
Iout ： 3.0A
电感 L ： 6.8 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
二十二、 PW2205 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2205(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 3.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
二十三、 PW2205 输出 3.3V/4.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2205
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.93V （锂电中值）
Vout ： 3.32V
Iout ： 4.0A
电感 L ： 6.8 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
二十四、 PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2205(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 4.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
二十五、 PW2205 输出 5V/2.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2205
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.99V （锂电中值）
Vout ： 5.12V
Iout ： 0.45A
电感 L ： 6.8 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
二十六、 PW2205 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2205(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 2.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
二十七、 PW2205 输出 5V/3.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2205
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.95V （锂电中值）
Vout ： 5.12V
Iout ： 3.0A
电感 L ： 6.8 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
二十八、 PW2205 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2205(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 3.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
二十九、 PW2205 输出 5V/4.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2205
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.92V （锂电中值）
Vout ： 5.13V
Iout ： 4.0A
电感 L ： 6.8 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
三十、 PW2205 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2205(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 4.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
三十二、 PW2330 输出 3.3V/1.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2330
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.0V （锂电中值）
Vout ： 3.3V
Iout ： 1.0A
电感 L ： 10 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
三十三、 PW2330 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2330(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 1.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
三十四、 PW2330 输出 3.3V/2.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2330
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.98V （锂电中值）
Vout ： 3.26V
Iout ： 2.0A
电感 L ： 10 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
三十五、 PW2330 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2330(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 2.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
三十六、 PW2330 输出 3.3V/2.4A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2330
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.0V （锂电中值）
Vout ： 3.3V
Iout ： 2.4A
电感 L ： 10 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
三十七、 PW2330 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2330(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 2.4A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
三十八、 PW2330 输出 5.0V/1.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2330
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.0V （锂电中值）
Vout ： 5.13V
Iout ： 1.0A
电感 L ： 10 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
三十九、 PW2330 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2330(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 1.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
四十、 PW2330 输出 5.0V/2.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2330
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.96V （锂电中值）
Vout ： 5.13V
Iout ： 2.0A
电感 L ： 10 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
四十一、 PW2330 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2330(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 2.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
四十二、 PW2330 输出 5.0V/2.4A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2330
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.95V （锂电中值）
Vout ： 5.13V
Iout ： 2.4A
电感 L ： 10 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
四十三、 PW2330 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2330(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 2.4A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
四十五、 PW2335 输出 3.3V/1.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2335
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.01V （锂电中值）
Vout ： 3.4V
Iout ： 1.0A
电感 L ： 4.7 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
四十六、 PW2335 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2335(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 1.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
四十七、 PW2335 输出 3.3V/2.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2335
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.01V （锂电中值）
Vout ： 3.47V
Iout ： 2.0A
电感 L ： 4.7 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
四十八、 PW2335 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2335(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 2.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
四十九、 PW2335 输出 3.3V/2.4A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2335
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.0V （锂电中值）
Vout ： 3.54V
Iout ： 2.4A
电感 L ： 4.7 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
五十、 PW2335 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2335(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 2.4A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
五十一、 PW2335 输出 5.0V/1.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2335
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.99V （锂电中值）
Vout ： 5.18V
Iout ： 1.0A
电感 L ： 4.7 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
五十二、 PW2335 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2335(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 1.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
五十三、 PW2335 输出 5.0V/2.0A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2335
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.99V （锂电中值）
Vout ： 5.22V
Iout ： 2.0A
电感 L ： 4.7 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
五十四、 PW2335 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2335(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 2.0A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
五十五、 PW2335 输出 5.0V/2.4A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2335
拓扑：异步 Buck
Vin ： 23.99V （锂电中值）
Vout ： 5.28V
Iout ： 2.4A
电感 L ： 4.7 μ H
Cin ： 100 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 2
fsw ： 1MHz
五十六、 PW2335 IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2335(SOP8-EP)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 2.4A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
五十八、 PW2312B 输出 3.3V/0.3A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2312B
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.02V （锂电中值）
Vout ： 3.3V
Iout ： 0.3A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 1
fsw ： 1MHz
五十九、 PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2312B(SOT23-6)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 0.3A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
六十、 PW2312B 输出 3.3V/0.5A 测试 @ Vin = 30V
测试条件
芯片： PW2312B
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.03V （锂电中值）
Vout ： 3.31V
Iout ： 0.5A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 1
fsw ： 1MHz
六十一、 PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2312B(SOT23-6)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 0.5A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
六十二、 PW2312B 输出 3.3V/0.6A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2312B
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.05V （锂电中值）
Vout ： 3.31V
Iout ： 0.6A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 1
fsw ： 1MHz
六十三、 PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2312B(SOT23-6)
Vin ： 24.0V
Vout ： 3.3V
Iout ： 0.6A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
六十四、 PW2312B 输出 5.0V/0.3A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2312B
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.06V （锂电中值）
Vout ： 5.09V
Iout ： 0.3A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 1
fsw ： 1MHz
六十五、 PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2312B(SOT23-6)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 0.3A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
六十六、 PW2312B 输出 5.0V/0.5A 测试 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW2312B
拓扑：异步 Buck
Vin ： 24.04V （锂电中值）
Vout ： 5.09V
Iout ： 0.5A
电感 L ： 47 μ H
Cin ： 47 μ F × 1
Cout ： 22 μ F × 1
fsw ： 1MHz
六十七、 PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 24V
测试条件
芯片： PW 2312B(SOT23-6)
Vin ： 24.0V
Vout ： 5.0V
Iout ： 0.5A
环境温度： 25 ℃
运行时间： 2 min
