PW7550 LDO稳压芯片:12V直接供电 vs 24V串联电阻原理分析
- 2026-10-26 16:18:00
- admin 原创
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PW7550 稳压芯片应用指南
PW7550 LDO 应用电路、串联电阻原理详解、更高耐压 PW8600 方案推荐
36V 最大输入
5.0V 固定输出
1.5μA 静态电流
150mA 输出电流
为什么 12V 不用串电阻, 24V 要串?
核心原因:功耗与散热。LDO 线性稳压器通过内部功率 MOSFET 将多余电压以热量形式耗散。
功耗计算公式
PD = ( VIN − VOUT ) × IOUT
输入电压越高,压差越大,功耗越高,发热越严重
12V 输入
压差:12 − 5 = 7V(小)
芯片功耗:0.7W
SOT89 温升:0.7 × 120 = 84℃
浪涌峰值:约24V ( < 36V 耐压)
结论: 安全,无需串联 R1
24V 输入
压差:24 − 5 = 19V(大)
芯片功耗:1.9W(高)
浪涌峰值:可达50V+
超过 36V 耐压极限!
结论: 必须串联 R1
封装热阻参考: SOT89-3L 封装热阻约 120℃/W , SOT23-3L 热阻约 250℃/W 。 芯片最高结温 150 ℃,环境温度 25 ℃ 时,允许温升 = 125 ℃。
串联电阻 R1 的作用原理
1 抑制热拔插浪涌尖峰
尤其在 24V / 36V 高电压时,浪涌可达 50V+ ,超过芯片 36V 耐压极限,必须限制。 加上 R1 后可降低浪涌尖峰电压,与 CIN 电容形成 RC 低通滤波,衰减高频尖峰。
2 浪涌知识
浪涌瞬间尖峰电压存在 mS 级别,万用表测不到,需要用示波器抓取; 直流电源和交流电源都存在;上电瞬间的电压越高,浪涌尖峰越大; 24V 电压越高浪涌尖峰越大,只能依靠串电阻或输入加电解电容(电解电容高 ESR )吸收。
3 寄生电感产生电压尖峰
USB 或电源线热插拔时,电源线和连接器的寄生电感会产生电压尖峰 (可达正常电压的 2~3 倍)。 串联电阻 R1 可限制浪涌峰值电流,保护芯片不被尖峰过压损坏。
18V
简单记忆:分界线 18V
VIN
≤
18V
可以直接连接
·
VIN > 18V
必须串联电阻
这不是芯片功能限制,而是物理定律决定的。
PW8600 的优势场景
输入电压超过 36V 时 PW7550 无法使用, PW8600 可以轻松应对:
⚡ 48V 工业供电
工业 48V 总线、 13 串锂电池组供电场景, PW8600 的 70V 工作电压留有充足裕量。
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