3.7V → 5V 高效升压转换解决方案
PW6276 是平芯微半导体推出的高效率同步整流升压 DC-DC 转换器，输入 2.5V~4.2V ，输出 5V/2.4A ， 内置低导通电阻功率 MOSFET ，无需外接肖特基二极管，典型效率高达 87% ， 是 3.7V 锂电池升压 5V 2A 应用的理想选择。
87% 典型效率
2A 输出电流
500kHz 开关频率
39mΩ N-MOS Rds(on)
产品概述
在便携式电子设备、锂电池供电系统中，如何将单节锂电池 3.7V 电压高效升压至 5V 是一个核心设计需求。 PW6276 是平芯微半导体推出的一款高效率 同步整流升压 DC-DC 转换器， 输入电压范围 2.5V ~ 4.2V ，输出 5V/2.4A ， 集成低导通电阻的功率 MOSFET ，无需外接肖特基二极管，典型效率高达 87% 以上， 非常适合移动电源、智能手机、平板电脑等应用场景。
PW6276 采用固定 500kHz 开关频率的电流模式 PWM 控制， 内置软启动、短路保护、过流保护及热关断等完善的保护机制， 使用 SOP8-EP 封装，外围器件精简， PCB 面积小， 是 3.7V 升压 5V 2A 应用的理想选择。
同步整流架构
内置 P-MOS + N-MOS ，无需肖特基二极管
2ms 软启动
有效抑制浪涌电流，防止输出过冲
完善保护机制
OCP / SCP / UVLO / 热关断多重防护
SOP8-EP 封装
外围精简， PCB 面积小，散热优良
核心参数
输入输出
输入电压范围2.5 ~ 4.2 V
输出电压5.0 （可调） V
最大输出电流2.4 A
效率指标 87% 典型效率 (3V → 5V/2A)
开关特性
开关频率500 kHz
最大占空比90 %
导通电阻
N-MOS Rds(on)39 mΩ
P-MOS Rds(on)42 mΩ
电流限制
峰值电流限制6.5 A
短路电流~200 mA
静态功耗
静态电流 ( 无负载 )250 μA
关断电流5 μA
保护阈值
UVLO 上升 / 下降2.7 / 2.5 V
热关断温度150 °C
封装信息 8SOP-EP 软启动时间 : 2ms
典型应用电路
PW6276 典型应用电路仅需极少外围器件即可实现 3.7V 锂电池升压至 5V/2.4A 输出。 输出电压通过 R1/R2 电阻分压设置，计算公式为：
VOUT = ( R1 / R2 + 1 ) × 1.245V
其中 1.245V 为内部参考电压，通过调整 R1/R2 比值可设定不同输出电压。
引脚定义 — SOP8-EP
1, 2 SW (LX)
开关输出引脚，连接升压电感。 SW 引脚为内部功率 MOSFET 的开关节点，走线应尽量短以降低 EMI 辐射。
3 VIN
电源输入引脚。输入电压范围 2.5V ~ 4.2V ，需就近放置去耦电容至 GND 。
4 EN
使能引脚。高电平使能芯片工作，低电平关断芯片。可通过上拉电阻连接至 VIN 实现自动启动。
5 GND
接地引脚。芯片内部信号地，连接至 PCB 地平面。
6 FB
反馈输入引脚。连接分压电阻中点，通过 R1/R2 分压设置输出电压。内部参考电压 1.245V 。
7, 8 VOUT
IC 供电及输出引脚。输出电压由 FB 分压设定，同时为芯片内部电路供电。
9 PGND 底部焊盘
功率地引脚（底部外露焊盘）。必须可靠焊接至 PCB 大面积铜箔 GND 平面，既作为电气连接也作为散热通路。
核心特性与保护机制
同步整流架构
无需外部肖特基二极管
内置高端 P-MOS （ 42 mΩ ）和低端 N-MOS （ 39 mΩ ），实现同步整流。 相比传统异步升压方案省去外部肖特基二极管，降低成本的同时显著提升转换效率。
39 mΩ N-MOS Rds(on)
42 mΩ P-MOS Rds(on)
2ms 内部软启动
有效抑制浪涌电流
上电时芯片采用恒流启动模式，缓慢给输出电容充电，有效抑制浪涌电流，保护上游电源和负载。 当 VOUT 升至超过 VIN 后进入限占空比软启动阶段，防止输出电压过冲。
2 ms软启动时间
恒流启动模式
恒流短路保护
SCP 恒流限制模式
当输出电压跌至 VIN 的 80% 以下时，芯片进入恒流短路保护模式， 直接限制高端 MOS 输出电流（平均电流和峰值电流同时限制）， 短路电流仅约 200 mA （ VIN = 3.6V ），有效保护芯片和下游负载。
80% VIN触发阈值
~200 mA短路电流
过流保护 (OCP)
逐周期峰值电流限制
峰值电流限制为 6.5A ，当电感电流达到此阈值时立即关断开关管， 防止过载损坏器件。采用逐周期电流检测方式，响应速度快，保护可靠。
6.5 A峰值电流限制
逐周期检测方式
欠压锁定 (UVLO) 与热关断
双重保护，确保可靠运行
输入电压低于 2.5V 时芯片自动关断，回升至 2.7V 恢复工作，防止电池深度放电。 芯片结温超过 150 ° C 时触发热关断，防止热损坏，温度回落后自动恢复。
2.7 / 2.5 V UVLO 上升 / 下降阈值
150 °C热关断温度
自动恢复温度回落
典型应用场景
移动电源 / 充电宝
单节锂电池 3.7V 升压至 5V USB 输出，可提供 2.4A 大电流输出，满足手机快速充电需求。 高效率降低发热，延长电池续航时间。
5V/2.4A 高效率 低发热
蓝牙音箱 / TWS 充电仓
锂电池供电，需要稳定 5V 为内部功放或充电模块供电。 小封装、少外围器件的特点非常适合空间受限的便携音频产品。
SOP8-EP 少外围 小体积
智能穿戴设备
智能手表、手环等设备需要将锂电池电压升压为传感器、显示模块等供电。 低静态电流（关断仅 5 μ A ）可有效延长待机时间。
低功耗 5μA 关断 长待机
IoT 物联网设备
单节锂电池供电的 WiFi / BLE 模块需要稳定 5V 供电。 500kHz 高频开关可使用小尺寸 2.2 μ H 电感，有效缩减 PCB 面积。
500kHz 小电感 省空间
USB 供电设备
各类需要 5V USB 标准供电的设备，从锂电池升压输出。 完整的保护机制（过流、短路、欠压、过热）确保系统安全可靠运行， 适用于 USB 风扇、 USB 灯具、 USB 集线器等多种外设应用。
5V 标准 多重保护 安全可靠 SOP8-EP
PCB 设计建议
01 大电流走线
VIN 、 SW 、 VOUT 、 PGND 等大电流路径的铜箔走线尽量短粗， 减少寄生电阻和电感。 SW 引脚走线应尽量短以降低 EMI 辐射。
02 输入电容布局
输入电容 CIN 必须紧靠 VIN 引脚放置，采用短粗走线连接至 VIN 和 GND ， 减小输入纹波。推荐使用两颗 22 μ F 贴片陶瓷电容并联。
03 输出电容布局
输出电容紧靠 VOUT 引脚放置， R2 接地端应尽量靠近输出节点采样， 避免走线电阻影响输出电压精度。
04 底部焊盘 (PGND)
SOP8-EP 封装的底部焊盘（ Pin 9 PGND ）是内部功率地， 必须可靠焊接至 PCB 大面积铜箔 GND 平面， 既作为电气连接也作为散热通路。 建议焊盘下方打多个散热过孔连接背面地铜皮。
05 反馈走线
FB 反馈网络（ R1 、 R2 ）应远离 SW 开关节点走线， 避免噪声耦合。 FB 走线保持短而细，直连 IC 的 FB 引脚。
