芯片信息
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2020-12-04
1.2V升5V电源芯片,1.2V升3V的IC电路图方案
镍氢电池就是典型的1.2V供电电源了,但是1.2V电压太低,需要电源芯片来1.2V升5V输出,或1.2V升3V输出稳压,1.2V单独难给其他芯片或者模块供电,即使串联1.2V*2=2.4V,也是因为电池能量降低而无法稳定稳压供电,而造成整个...
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2020-12-04
1.2V升3.3V芯片,大电流,应用MCU供电,3.3V稳压源
MCU供电一般是2.5V-5V之间等等都有,1.2V需要升到3.3V的升压芯片来稳压输出3.3V给MCU供电。同时1.2V的输入电压低,说明供电端的能量也是属于低能量的,对于芯片自身供货是也要求高。可以满足的升压芯片,就PW5100来满...
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2020-12-01
PW2202芯片N沟道增强型MOSFET
一般说明PW2202是硅N沟增强型vdmosfet,采用自对准平面技术,降低了传导损耗,改善了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种功率开关电路中特征VDS=200V,ID=2ARDS(开)<1.8Ω@...
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2020-12-01
PW2324芯片N沟道增强型MOSFET
一般说明PW2324采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。特征VDS=100V,ID=3.7ARDS(开)<240mΩ@VGS=10V...
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2020-12-01
PW2308芯片N沟道增强型MOSFET
一般说明PW2308采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。特征VDS=60V,ID=5ARDS(开)<38mΩ@VGS=10V提...
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