芯片信息

一般说明PW2337采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=-100V,ID=-0.9ARDS(开)<650mΩ@VGS...
一般说明PW2309采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=-60V,ID=-3ARDS(开)<180mΩ@VGS=-1...
一般说明PW2319采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON),低栅电荷栅极电压低至4.5V,适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=-40V,ID=-5ARDS(开)<70mΩ@VGS=-10...
一般说明 PW1555是一个可编程的限流开关,具有输入电压范围选择和输出电压钳位。集成保护N沟FET的极低RDS(ON)有助于减少正常运行时的功率损耗。可编程软启动时间控制转换率在启动期间的输出电压。独立启用控制允许复杂系统顺...
一般说明PW1503,PW1502是超低RDS(ON)开关,具有可编程的电流限制,以保护电源源于过电流和短路保护。它具有超温保护以及反向闭锁功能。PW1503,PW1502采用薄型(1毫米)5针薄型SOT23-5封装,提供可调版本。...
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