芯片信息

1139 2020-12-01

一般说明PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。特征VDS=60V，ID=5ARDS（开）<38mΩ@VGS=10V提...

1303 2020-12-01

一般说明PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（开）<650mΩ@VGS...

1133 2020-12-01

一般说明PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-60V，ID=-3ARDS（开）<180mΩ@VGS=-1...

1175 2020-12-01

一般说明PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-40V，ID=-5ARDS（开）<70mΩ@VGS=-10...

1268 2020-12-01

一般说明 PW1555是一个可编程的限流开关，具有输入电压范围选择和输出电压钳位。集成保护N沟FET的极低RDS（ON）有助于减少正常运行时的功率损耗。可编程软启动时间控制转换率在启动期间的输出电压。独立启用控制允许复杂系统顺...

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深圳市夸克微科技有限公司