芯片信息

1234 2020-12-01

一般说明PW2324采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。特征VDS=100V，ID=3.7ARDS（开）<240mΩ@VGS=10V...

1256 2020-12-01

一般说明PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。特征VDS=60V，ID=5ARDS（开）<38mΩ@VGS=10V提...

1407 2020-12-01

一般说明PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（开）<650mΩ@VGS...

1240 2020-12-01

一般说明PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-60V，ID=-3ARDS（开）<180mΩ@VGS=-1...

1283 2020-12-01

一般说明PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-40V，ID=-5ARDS（开）<70mΩ@VGS=-10...

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深圳市夸克微科技有限公司