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MEM13003TZG双极晶体管芯片 MEM13003TZG双极晶体管芯片 面议   查看详情
MEM13003TG双极晶体管芯片 MEM13003TG双极晶体管芯片 面议   查看详情
MEM13003K3G双极晶体管芯片 MEM13003K3G双极晶体管芯片 面议   查看详情
MEM2504采用先进的沟槽技术和 设计提供低栅极电荷的优秀Rdson。 MEM2504采用先进的沟槽技术和 设计提供低栅极电荷的优秀Rdson。 面议   查看详情
MEM2502，硅N通道增强型 VDMOSFET是通过高密度沟槽获得的 技术减少了传导损耗 MEM2502，硅N通道增强型 VDMOSFET是通过高密度沟槽获得的 技术减少了传导损耗 面议   查看详情
MEM2404结合了先进的沟槽 具有低电阻封装的MOSFET技术 提供极低的RDS（ON） MEM2404结合了先进的沟槽 具有低电阻封装的MOSFET技术 提供极低的RDS（ON） 面议   查看详情
MEM2311SG 系列 双 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻 MEM2311SG 系列 双 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻 面议   查看详情
MEM2310XG 系列 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2310XG 系列 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 面议   查看详情
MEM2309SG 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻 MEM2309SG 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻 面议   查看详情
MEM2306SG 系列 双 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻 MEM2306SG 系列 双 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻 面议   查看详情
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