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MEM13003K3G双极晶体管芯片
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MEM2504采用先进的沟槽技术和 设计提供低栅极电荷的优秀Rdson。
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MEM2502，硅N通道增强型 VDMOSFET是通过高密度沟槽获得的 技术减少了传导损耗
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MEM2404结合了先进的沟槽 具有低电阻封装的MOSFET技术 提供极低的RDS（ON）
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MEM2311SG 系列 双 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
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MEM2310XG 系列 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
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MEM2309SG 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
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MEM2306SG 系列 双 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
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MEM2303XG 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
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MEM2302M3G 系列 N 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
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