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MEM2301M3G 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻 MEM2301M3G 系列 P 沟道增强型功率场效应管 （MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻 面议   联系我们
MEM12N65 N沟道功率MOSFET MEM12N65 N沟道功率MOSFET 面议   联系我们
MEM12N60是一种高电压、高电压的传感器 电流功率MOSFET，设计具有更好的 具有开关时间快、门极低等特点 MEM12N60是一种高电压、高电压的传感器 电流功率MOSFET，设计具有更好的 具有开关时间快、门极低等特点 面议   联系我们
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MEM8N60是一种高压大电流p 功率MOSFET，设计为具有更好的特性 MEM8N60是一种高压大电流p 功率MOSFET，设计为具有更好的特性 面议   联系我们
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MEM4N65是一种高压功率MOSFET 设计为具有更好的特性 MEM4N65是一种高压功率MOSFET 设计为具有更好的特性 面议   联系我们
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