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AO4496采用先进的沟槽技术 提供低栅极电荷的出色RDS（ON） AO4496采用先进的沟槽技术 提供低栅极电荷的出色RDS（ON） 面议   查看详情
AO4494结合了先进的沟道MOSFET采用低电阻封装技术，提供极低RDS（打开） AO4494结合了先进的沟道MOSFET采用低电阻封装技术，提供极低RDS（打开） 面议   查看详情
AO4486结合了先进的沟道MOSFET采用低电阻封装技术，提供极低的RDS（开启） AO4486结合了先进的沟道MOSFET采用低电阻封装技术，提供极低的RDS（开启） 面议   查看详情
AO4485采用先进的沟槽技术，提供低栅极电荷的出色RDS（ON） AO4485采用先进的沟槽技术，提供低栅极电荷的出色RDS（ON） 面议   查看详情
AO4484采用先进的沟槽技术，提供低栅极电荷的出色RDS（ON） AO4484采用先进的沟槽技术，提供低栅极电荷的出色RDS（ON） 面议   查看详情
AO4482结合了先进的沟槽MOSFET采用低电阻封装技术,提供极低RDS（打开） AO4482结合了先进的沟槽MOSFET采用低电阻封装技术,提供极低RDS（打开） 面议   查看详情
AO4407 30V P沟道MOSFET AO4407 30V P沟道MOSFET 面议   查看详情
AO4406A 30V P沟道MOSFET AO4406A 30V P沟道MOSFET 面议   查看详情
AO4405 30V P沟道MOSFET AO4405 30V P沟道MOSFET 面议   查看详情
AO4449采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和超低栅极电荷 AO4449采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和超低栅极电荷 面议   查看详情
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