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AO4443结合了先进的沟槽MOSFET采用低电阻封装技术 611

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AO4441采用先进的沟槽技术提供出色的RDS（ON）和超低栅极电荷 584

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AO4435采用先进的沟槽技术提供卓越的RDS（ON）和超低栅极电荷 707

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AO4430采用先进的沟槽技术提供优秀的RDS（ON） 528

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AO4425采用先进的沟槽技术提供卓越的RDS（ON）和超低栅极使用25V栅极额定值充电 676

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AO4421结合了先进的沟道MOSFET-60V采用低电阻封装技术，提供极低RDS（打开） 564

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AO4419结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS（ON） 539

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AO4413采用先进的沟槽技术提供卓越的RDS（ON）和超低栅极电荷 652

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AO4411采用先进的沟槽技术提供卓越的RDS（ON）和超低栅极电荷 627

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AO4407A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和超低栅极电荷 712

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