供应PW3467,MOS管原装现货，技术支援 - 芯片信息

一般说明

PW3467 采用先进的沟道技术，提供优良的 RDS （ ON ），低栅极充电和低至 4.5V 的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
特征

VDS=30V ID=67A
RDS（开）<5.5mΩ@VGS=10V
提供8针DFN3*3封装
代理商：深圳市夸克微科技郑先生：13528458039 QQ 2867714804

绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）

参数	符号	评级	单位
漏源极电压	VDS	30	V
栅源电压	VGS	±20	V
持续漏电流， VGS@10V （注 1 ）	ID@TC=25℃	70	A
持续漏电流， VGS@10V （注 1 ）	ID@TC=100℃	51	A
持续漏电流， VGS@10V （注 1 ）	ID@TA=25℃	15	A
持续漏电流， VGS@10V （注 1 ）	ID@TA=70 ℃	12	A
脉冲漏电流（注 2 ）	IDM	160	A
总功耗（注 3 ）	PD @TC=25℃	59	W
总功耗（注 3 ）	PD @TA=25℃	2	W
储存温度范围	TSTG	-55 至 150	℃
工作结温范围	TJ	-55 至 155	℃
单脉冲雪崩能量（注 4 ）	EAS	115.2	mJ
雪崩电流	IAS	48	A
热电阻接线盒（注 1 ）	RθJC	2.1	℃ /W
热电阻结环境（注 1 ）	RθJA	62	℃ /W

注意
1、数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
2、测试数据由脉冲，脉冲宽度。EAS数据显示最大额定值。
3、其功耗受175℃结温的限制
4、试验条件为V≤300us，占空比DD=25≤V，V 2%GS=10V，L=0.1mH，IAS=53.8A
5、数据理论上与ID和IDM相同，在实际应用中，应受到总功耗的限制

联系人：	郑先生
电话：	13528458039
Email：	zqf@kkmicro.com
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